荥阳市光明金刚石实业有限公司

金刚石表面生成金属化层有温度要求

钨未被氧化在较低温度下，800℃左右，就能在金刚石表面形成WC层，但从实现金刚石表面预金属化所用的工艺来看，需在真空条件下、 600℃以上加热1小时才能得到理想的结合力。以目前常用的孕镶金刚石切削工具的烧结条件来看，在非真空或低真空中不超过900℃加热5分钟左右，是不大可能使金刚石表面生成金属化层的。

人造磨料制造的各种磨具相继产生

1900年前后电镀金刚石异形砂轮，人造磨料问世电镀金刚石，采用人造磨料制造的各种磨具相继产生，为磨削和磨床的快速发展创造了条件。此后，天然磨具在磨具中所占比例逐渐减少。

金刚石与一般的金属及其合金之间具有很高的界面能，致使金刚石不能被一般的低熔点合金所浸润，可焊性极差。目前主要通过在铜银合金焊料中添加强碳化物形成元素或通过对金刚石表面进行金属化处理来提高金刚石与金属之间的可焊性。

DLC膜的光学性能

DLC膜在可见光区通常是吸收的，但是在红外区具有很高的透过率。DLC膜光隙带宽度一般在2.7eV以下电镀金刚石刀具。DLC膜光隙带宽度对沉积方法及工艺参数比较敏感。在用ECRCVD法制备DLC膜时随着沉积气压的而增大。

DLC膜的折射率一般在1.5~2.3，磁控溅射制备DLC膜时，折射率随溅射功率的增加而缓慢增加，随溅射氮气压力升高而降低。稳定性:含氢和不含氢的DLC都是亚稳态的材料电镀金刚石工具，热稳定性很差，通过热激发或光子、离子的能量辐射，它们的结构将向类石墨化方向转变，加热含氢DLC将导致氢和CHx的释放。

沉积金刚石薄膜的机理至今尚无定论

磨料磨具中低温低压下CVD法沉积金刚石薄膜的机理至今尚无定论，仍是今后的研究方向之一。晶体的形成分为两个阶段，早阶段称为晶体成核阶段，第二阶段晶体生长阶段。早阶段含碳的气源在合适的工艺参数下，在沉积基体上形成一定数量的孤立的金刚石晶核;第二阶段，金刚石晶核不断长大，并连成一片，覆盖整个基体的表面，再沿垂直方向生长，形成一定厚度的金刚石膜。

在早阶段主要目的是尽快的在基体表面上形成金刚石晶核，并能有效的控制金刚石的密度，要大限度的提高金刚石的形核密度;在第二阶段主要目的是让已形核的金刚石长大，并能有效的控制金刚石膜的生长速度和质量。

金刚石工具车间的综合治理：

①整体排风：为保持车间通风良好，应以整体机械通风作辅助手段，采用抽风机从室内上部进行整体排风，排出的风量还应由送风系统送进新鲜空气加以补偿。

②局部排风：为了控制有害气体的扩散，防止污染室内空气，在产生有害气体的部位要有局部排风设施。室外排风口应高出屋顶栋缘115~2m.

③封闭排风：退镀工件和酸洗金刚石会产生浓黄烟，污染大，对人体有害。必须在通风柜内进行，实现强力封闭排风。

磨边轮碰边、缺边角

1)碰瓷在倒角边上的小碰瓷是磨边轮调节不到位造成的。

2)碰瓷在砖坯前位置，为倒角下降过快造成的倒角碰瓷。

3)倒角部位出现大碰瓷的为：

a.磨边轮螺丝松动;

b.磨边电机倒转;

c.磨边轮角度倾斜，造成的大碰瓷，要立即停机处理。

4)碰瓷、缺前角：多数为磨边座摆移角度太小(2-3mm为宜)，引起后轮磨削或磨边轮金刚砂过粗烂边;缺前角多数是修边轮磨太多，撞崩或前面的部分磨边轮不够锋利。

5)缺后角、锯齿、粗边缺后角主要因个别磨边轮磨太多，拉崩后角，粗边多是第6、7组磨太多，修边轮磨太少。若修边轮再磨多一点粗边会好转，则尺码偏小，减少第6、7组切削量。